本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自HPCwire迪士尼彩乐园贴吧
新晶圆厂建树开启增长新纪元。
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字据 SEMI 最新的大家晶圆厂预测季度敷陈，半导体行业瞻望将在 2025 年启动 18 个新晶圆厂建树名目 。新名目包括三座 200 mm和十五座 300 mm次序，其中大部分瞻望将于 2026 年至 2027 年头始运营。
2025 年各地区初始建树的新半导体晶圆厂
2025年，好意思洲和日本是首先地区，各有4个名目。好意思洲在半导体范畴一直处于首先地位，领有先进的期间和宽阔的科研实力，且在东谈主工智能、高性能诡计等新兴范畴发展马上，对半导体芯片的需求握续增长，这促使企业加大在原土建树晶圆厂的力度，以称心自身及左近商场的需求。日本在半导体产业有着深厚的期间积存和产业基础，天然频年来在大家商场份额有所变化，但依然在一些要津期间和范畴保握上风。跟着大家对半导体需求的多元化，日本为了平定其在行业内的地位，进一步加大投资建树新的晶圆厂，以普及产能和期间水平。
中国和欧洲及中东地区并排第三，打算建树3个名目。中国积极激动芯片虚度年华计谋，旨在减少对入口芯片的依赖，普及国度信息安全和产业竞争力。同期，国内汽车、物联网等产业的快速发展，对半导体芯片的需求日新月异，为新晶圆厂的建树提供了广泛的商场空间。欧洲及中东地区在半导体范畴也有一定的期间千里淀和产业布局，跟着大家半导体产业的复苏和新兴应用的兴起，该地区但愿通过建树新的晶圆厂，进一步普及在大家半导体商场的份额，称心土产货及左近地区的商场需求。
中国台湾打算建树2个名目，其在半导体代工范畴具有宽阔的上风，凭借先进的期间和锻真金不怕火的产业生态，一直是大家半导体产业的要紧参与者。为了保握其首先地位，称心束缚增长的商场订单需求，中国台湾的企业无间投资建树新的晶圆厂。
而韩国和东南亚在2025年各有1个名目。韩国的半导体产业以三星等企业为代表，在存储芯片等范畴占据要紧地位，建树新晶圆厂是为了进一步平定其在大家商场的上风，嘱托商场竞争和需求变化。东南亚地区则凭借其较低的劳能源资本和冉冉完善的产业配套，诱导了部分半导体企业投资建厂，天然当今名目数目较少，但也泄表示该地区在半导体产业方面的发展后劲。
SEMI总裁兼首席推行官Ajit Manocha暗示：“半导体行业还是到达一个要津时刻，投资推动着顶端和主流期间的发展，迪士尼彩乐园贴吧以称心束缚变化的大家需求。生成式东谈主工智能和高性能诡计正在推动顶端逻辑和内存范畴的跳跃，而主流节点无间相沿汽车、物联网和电力电子范畴的要津应用。18座新的半导体晶圆厂将于2025年头始建树，这标明该行业奋勉于支握翻新和权臣的经济增长。”
2024年第四季度的《大家晶圆厂预测》敷陈涵盖2023年至2025年，敷陈泄露大家半导体行业打算初始运营97座新的高容量晶圆厂。其中包括2024年的48个名目和2025年将启动的32个名目，晶圆尺寸从300mm到50mm不等。
先进节点引颈半导体产业推广
瞻望半导体产能将进一步加快，瞻望年增长率为6.6%，到2025年每月晶圆总量将达到3360万片(wpm)。这一推广将主要受到高性能诡计(HPC)应用中前沿逻辑期间的推动，以及生成式AI在角落开导中的日益普及。生成式AI在角落开导中的应用越来越泛泛，对芯片的诡计能力和能效比提倡了更高的条件，促使半导体企业加大对先进节点期间的研发和坐褥插足。
半导体行业正在加放浪度构建先进的诡计能力，以嘱托大型话语模子(LLM)束缚增长的诡计需求。芯片制造商正在积极扩大先进节点容量（7nm及以下），瞻望到2025年，先进节点容量将以行业首先的16%的年增长率增长，每分钟传输速率将加多30多万次，达到每分钟传输速率的220万次。
受中国芯片虚度年华计谋以及汽车和物联网应用预期需求的推动，主流节点（8nm~45nm）瞻望将再加多6%的容量，并在2025年零乱1500万wpm的里程碑。汽车智能化和物联网的快速发展，需要大齐的主流节点芯片来达成各式功能，如汽车的自动驾驶系统、智能交通处置等，以及物联网开导的流通、数据处理等。
锻真金不怕火期间节点（50nm及以上）的推广较为保守，反应出商场复苏稳固且诈欺率较低。一方面，跟着期间的跳跃，商场对先进节点芯片的需求增长较快，对锻真金不怕火期间节点芯片的需求相对踏实；另一方面，部分红熟期间节点芯片的应用范畴受到新兴期间的冲击，导致商场需求萎缩，进而影响了产能的推广。瞻望该部分将增长5%，到2025年达到1400万wpm。
晶圆代工部门产能无间强盛增长
瞻望代工场供应商将无间成为半导体开导采购的引导者。代工场部门的产能瞻望将同比增长 10.9%，从 2024 年的 1130 万 wpm 增至 2025 年创记载的 1260 万 wpm。
全体内存范畴泄表示可不雅的容量推广，2024年将慈悲增长3.5%，2025年将增长2.9%。然而，强盛的生成式AI需求正在推动内存商场发生要紧变化。高带宽内存(HBM)正在经验权臣的增长，由于生成式AI等应用需要处理大齐的数据，对内存的带宽和速率条件极高，HBM恰好称心了这一需求，导致DRAM和NAND闪存范畴之间的容量增长趋势出现不合。
DRAM范畴瞻望将保握强盛增长，瞻望到2025年将同比增长约7%，达到450万wpm。违反，3D NAND的装配容量瞻望将增长5%，在灭亡时代达到370万wpm。
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