而且在进攻端，徐昕也在主动求变。他有好几个都是高举高打，因为他的身高在这里，只要举手，对手很难限制，这也会增加他在球场上的效率。本身徐昕的终结就非常好，而且现在的动作变得灵活很多，再加上休赛季特地加强了手臂力量，速率也提升了，这都可以让其主导攻守。
第二阶段至今，广东依然没有小外援上场分担徐杰的压力，即使放眼整个CBA联赛，也只有广东敢不用小外全靠本土后卫。不过该历史很快就要终结，最近有媒体报道，广东宏远基本确定与前NBA火箭队后卫戴申-尼克斯完成签约。尼克斯此前是NBA发展联盟的MVP，砍分能力一流，非常符合广东目前对小外援的定位和需求。不过即使立马和尼克斯进行签约，由于要办手续、等澄清信，尼克斯最快也得等到第二阶段最后几场比赛才能代表广东出战CBA比赛！
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在先进电子产物鸿沟，举例智高东说念主机和揣测打算机中的袖珍芯片，确保这些芯片平日责任至关进击。测试这些芯片的顺序有许多种，面前用作起初进技能的三种进击技能是节能测试、多层和垂直芯片测试以及镶嵌式中枢组件测试。这些测试技能共同确保为咱们的诱骗供电的芯片节能、更快、更可靠，从而使咱们的电子产物更智能、使用寿命更长。
手脚主题先容的一部分，这里有一些可供流露宗旨的基础术语。
节能测试
指的是在测试过程中注重责备功耗以确保电子诱骗节能的测试顺序。
跟着芯片瞎想中不同部件的组合以及芯片自身的变小，它所能推行的任务也变得越来越复杂。这导致需要测试的数据量和测试芯片所需的时候较着增多。与平日责任比较，芯片在测试时代蚀本的电量要多得多。
因此，芯片可能会变得过热，导致测试失误、可靠性问题、可用芯片数目减少（产量问题），偶然在最坏的情况下损坏诱骗。这便是为什么东说念主们越来越存眷节能的测试顺序，以提神这些问题。
底下先容在测试过程中责备芯片功耗的主要顺序。
狡滑耗自动测试样式生成（ATPG）顺序专注于创建减少芯片中发生的活动量的测试样式，从而责备测试时代使用的功率而不影响芯片的尺寸或性能。
取舍扫描瞎想的芯片节能测试顺序主要包括四种技能：
第一种顺序是在全扫描电路中添加一个限制模块，用于料理扫描电路中的输入信号，以减少电路中无须要的活动，从而有助于从简动力。
第二种顺序称为扫描旅途分段。它将扫描旅途分红几段，这么不错在不延长测试时候的情况下落低测试时代的能耗。
第三种顺序由 Whetzel 等东说念主建议，他们引入了自适宜电路来限制扫描电路中的信号流。这种顺序允许孤独限制每条扫描旅途，从而减少能耗。
第四种顺序侧重于增强时钟系统。举例，一种顺序使用多个扫描旅途，每个旅途齐有我方的时钟，以处理测试的不同部分。另一种由 Bonhomme 等东说念主建议的顺序是使用不错关闭的时钟（门控时钟）或由时钟树供电的时钟来更有用地料理不同的扫描旅途。
测试数据压缩的节能顺序旨在责备扫描过程中的功耗和测试过程中的测试数据量。面前，数据压缩顺序主要有三种类型：
使用线性减压的顺序。
使用播送扫描的顺序。
使用基于代码的压缩的顺序。
多层垂直芯片测试
这触及测试垂直堆叠以从简空间和普及性能的复杂集成电路的功能和可靠性。
比年来，使用硅通孔 (TSV) 的多层芯片发展赶紧，被视为具有浩荡潜在运用长进的有出路的技能。3D 芯片具有几个要津上风：镌汰了组件之间的伙同、责备了能耗、增多了可拼装在通盘的部件数目、减少了搅扰并加速了电路的责任速率。该技能还不错创建具有多种功能的新诱骗和电路系统。
天然 3D 芯片有许多刚正，但也带来了一些技能挑战，尤其是在测试方面。其中一个问题是，天然多层 3D 芯片不错收场更好的集成，但可用于测试的引脚数目仍然有限，因为它们只可抛弃在芯片的边际。这种逝世导致用于测试芯片内每个模块的资源减少，从而责备了限制和不雅察芯片电路的智力，从而使测试变得愈加发愤和复杂。
另一个挑战是，普通用于伙同 3D 芯片不同层的硅通孔 (TSV) 容易出现制造颓势。刻下的 TSV 制造工艺并非绰有余裕，需要普及 TSV 产量。TSV 坐蓐过程中引入的这些新颓势使测试过程更具挑战性。
由于 3D 芯片的制作样子独到，测试起来愈加复杂。3D 芯片测试过程主要有多个法子：
键合前芯片测试：此法子在将单个芯片堆叠在通盘之前对其进行测试。想法是增多平日责任的芯片数目，迪士尼彩乐园网址在哪并确保尽早发现任何有故障的芯片，以免它们参加 3D 堆叠过程。
键合中堆叠测试：此测试对部分堆叠的芯片进行，主要用于识别键合过程中可能出现的任何颓势。
键合后堆叠测试：此法子测试十足堆叠的芯片，以查验在晶圆减薄、瞄准和键合等过程中可能出现的任何新问题。它还确保 3D 堆叠和层间伙同 (TSV) 平日责任。键合测试后，将洽商早期测试（键合前和键合中）的收尾，以匡助责备总体测试本钱。在此阶段，由于 3D 芯片更复杂，它还靠近与热量相干的问题，因此优化测试成就以改善冷却格外进击。
封装测试：总共芯片层齐堆叠收场并完成最终封装后，十足拼装的3D 芯片将经过最终查验，以确保一切按预期运行，然后才能出厂。关于 3D 集成电路 (IC)，在测试过程中，既要洽商传统的 2D IC 颓势和故障模子，又要洽商 3D IC 特有的独到故障模子。主要有两个方面需要洽商：
与 TSV 互连相干的颓势：硅通孔 (TSV) 问题可能在制造过程中、与下一层粘合过程中或 3D 堆栈的使用寿命时代出现。常见问题包括微孔导致伙同对抗稳、针孔导致短路、种子层去除不当导致 TSV 之间短路、氧化或期侮导致的粘合质料问题、TSV 高度变化、芯片之间的颗粒以及粘合过程中的错位导致开路或短路。
3D 工艺导致芯片里面出现新颓势：3D 制造法子可能会引入程序测试无法发现的新颓势。举例，晶圆减薄可能会产生电气特质下落、性能变化和产量责备等颓势。热耗散和机械应力也可能导致颓势，在淡雅堆积的较薄芯片层中，热量会蓄积，况且散热样子有限。堆叠中的不同材料不错以不同的速率延长和削弱，从而导致热应力，进而导致进一步故障。
里面（镶嵌式）中枢组件测试
在诱骗内进行片上测试以确保其平日运行。
图1：镶嵌式中枢测试硬件结构
跟着集成电路技能的朝上和瞎想手段的普及，面前不错将总共系统放在单个芯片上，即片上系统(SoC)。为了普及瞎想后果并加速产物开发速率，重迭使用中枢学问产权 (IP) 已成为 SoC 瞎想中的常见作念法。然而，这种顺序使测试带有镶嵌式中枢的 SoC 变得愈加发愤。
1997 年，镶嵌式中枢测试责任构成立，旨在制定测试这些镶嵌式中枢的程序。2005 年 3 月，IEEE 董事会批准了 IEEE Std 1500，这是一种简化测试这些镶嵌式中枢过火相干电路的程序顺序。2005 年 7 月，好意思国国度程序协会 (ANSI) 考究取舍了镶嵌式中枢测试程序，并于 2005 年 8 月发布。
测试 SoC 中的镶嵌式内核需要确保在测试过程中不错有用限制和不雅察每个内核。可不雅察性意味着不错十足探访 IP 内核，这不错通过使用测试探访机制在 SoC 引脚和镶嵌式内核之间传输数据来收场。这触及将内核的数据宽度与 SoC 的数据宽度相匹配，这需要在内核周围瞎想一个测试包装器以适宜不同的数据大小。可限制性是指限制 IP 内核的智力。要测试它，需要激活 IP 内核并将其切换到测试样式，然后在测试后复返平日运行。此过程触及界说内核的运行样子以及料理它所需的限制呐喊。
基于镶嵌式核的 SoC 测试的 IEEE 1500 程序主要由两部分构成：中枢测试结构和中枢测试言语 (CTL)。中枢测试结构包括包装器、测试探访机制 (TAM)、测试生成器和测试反应器。包装器是围绕 IP 核的逻辑，提供程序的测试环境。测试探访机制用于发送测试信息，举例测试输入和输出。测试生成器创建测试领导，而测试反应器则分析和比较测试收尾。
中枢测试言语 (CTL) 是测试 IP 核时分享测试信息的程序顺序。硬件测试包装器使用寄存器为 IP 核创建测试环境。这些寄存器分为三类：
包装器领导寄存器：将测试包装器置于测试样式并初始测试周围的中枢。
包装器数据寄存器：包括用于料理数据传输的包装器范围寄存器和包装器旁路寄存器，为数据快速通过中枢提供快捷样子。
中枢数据寄存器：指被包装器包围的中枢里面寄存器。
IEEE Std 1500 程序化了测试包装器和测试探访机制的接口，旨在简化中枢测试和 SoC 级测试开发。为了相沿中枢测试的重用和 SoC 级测试的开发，IEEE Std 1500 责任组还成立了一个 CTL 责任组。该小组匡助刻画多样中枢测试所需的复杂时序信号以及如安在 SoC 级料理它们。分享的信息包括测试顺序、样式、表率、测试数据、故障模子以及可测试硬件的详备信息。
论断
先进的半导体集成电路测试触及几个要津鸿沟，包括节能测试、多层3D芯片测试以及片上系统（SoC）中的镶嵌式内核测试。
节能测试专注于责备测试过程中的功耗，以提神过热和芯片的潜在损坏。
由于堆叠了多个层，3D IC 测试靠近着独到的挑战，其中硅通孔 (TSV) 中的颓势和热料理是要津问题。测试过程触及多个阶段，以便尽早发现颓势并确保芯片性能平日。
SoC 中的镶嵌式中枢测试可确保每个中枢齐能被有用探访、限制和测试。IEEE 1500 程序提供了一个框架，可使用测试包装器、探访机制和特定测试言语来测试这些中枢。
这些技能关于确保日益复杂和节能的当代芯片平日运行无失误至关进击。先进的半导体集成电路测试技能在确保电子诱骗的可靠性、后果和性能方面知道着至关进击的作用。通过实施节能测试顺序，惩处测试多层和垂直芯片的挑战，并死守测试镶嵌式中枢的程序，半导体制造商不错在优化测试过程的同期普及产物的质料和功能。
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